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　　1953年，阙端麟进入浙江大学电机系工作。在讲授“电工材料”课程的过程中，阙端麟敏锐地感觉到了半导体材料研究的前端性，并以半导体材料研究作为新的发展方向，最终成为这一研究方向的先驱。
　　1959年，阙端麟着手研究提纯硅烷及制备高纯硅技术。当时，他认为，国内还没有人研究过的硅烷法是最适合浙大实际条件的可行方法，也最有可能研制成功。然而，这种方法却是最危险的，因为硅烷容易发生爆炸。
　　有一次，实验过程中又一次发生爆炸，阙端麟的一只手掌心被炸开了一道口子，连缝了三针。阙端麟丝毫没有动摇坚持这一研究的信念。他回忆起来笑着说，当时忙着记录统计一个个实验数据，爆炸过多少次早已不记得了。后来，为了防止爆炸伤人，阙端麟和同事们用铁丝网把实验设备罩起来坚持实验。当时的研究条件艰苦而落后，没有的实验仪器都要靠自己动手做，阙端麟就自己吹制玻璃制品等零件。
　　面对资金紧张、设备简陋、硅烷容易爆炸等重重困难，阙端麟和他的团队坚守了四五年，硅单晶制备技术上仍旧没有取得突破。然而，成功正一步步地朝他们靠近。阙端麟回忆说，那时候只有一个信念，就是一遍遍地改进实验方法，坚信曙光一定会到来！经过多年的艰苦研究，1964年，阙端麟终于在实验室成功提取出高纯硅单晶。（张岚）